NanotechJapan Bulletin（Webマガジン）に平成29年度「秀でた利用成果」の最優秀賞に選ばれたトレンチMOS構造を設けたGa2O3ショットキーバリアダイオードの紹介記事が掲載されました。http://nanonet.mext.go.jp/magazine/1398.html
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