米国コーネル大学との共同実施により、耐圧が1 kVを超える
酸化ガリウムトレンチMOS型SBDとトレンチMOS型ノーマリーオフFETの動作実証に成功しました。
本成果の論文がApplied Physics LettersおよびIEEE Electron Device Lettersに公開されています。

■1 kV超酸化ガリウムトレンチMOS型SBD
論文タイトル：1230 V β-Ga2O3 trench Schottky barrier diodes with an ultra-low leakage current of <1 μA/cm2
論文誌名：Applied Physics Letters, 113, 202101 (2018)
DOI：10.1063/1.5052368

■1 kV超酸化ガリウムトレンチMOS型FET
論文タイトル：Enhancement-Mode Ga2O3Vertical Transistors With Breakdown Voltage >1 kV
論文誌名：IEEE Electron Device Letters, Vol. 39, No. 6 (2018)
DOI：10.1109/LED.2018.2830184