文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム、平成２９年度「秀でた利用成果」の最優秀賞に、トレンチMOS構造を設けたGa2O3ショットキーバリアダイオードが選ばれました。
http://www.nims.go.jp/news/press/2018/01/201801230.html/
2026.08.3
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