国立研究開発法人物質・材料研究機構 微細加工プラットフォーム 「トレンチMOS構造を設けたGa2O3ショットキーバリアダイオード」 について、ナノテクプラットフォームの秀でた利用事例の一つに選定されました。ナノテク展と併設開催のナノテクノロジー総合シンポジウムにて講演致します。
http://nanonet.mext.go.jp/japannano/2018/
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