低コストでバルク単結晶の製造が可能

酸化ガリウムは、融液成長法でバルク結晶の製造を行うため、高速な成長が可能です。そのため、気相成長法でバルク結晶を製造するGaNやSiCと比べ、基板の低コスト化が可能とされています。

GaNやSiCを超える高耐圧パワーデバイスの可能性

酸化ガリウムのバンドギャップは4.8~4.9 eVであり、次世代パワーデバイス候補のGaN(3.4 eV)やSiC(3.3 eV)と比べて大きな値となっています。そのため、絶縁破壊電界強度がGaNやSiCより大きいことが予測されています。スイッチング損失を小さく保ったまま、6000 V以上の大きな耐圧を持つパワーデバイスを作製できることが期待されています。