論文タイトル：
Large-size (1.7 × 1.7 mm2) β-Ga2O3 field-plated trench MOS-type Schottky barrier
diodes with 1.2 kV breakdown voltage and 109 high on/off current ratio
雑誌名：
Applied Physics Express 15, 016501 (2022)
発行日：
2021年12月
概要
アンペア級のトレンチMOS型β-Ga2O3ショトキーバリアダイオードの作製に成功しました。ダイオードは(001)β-Ga2O3基板上にハライド気相成長法 (HVPE) ドナー濃度 1.5 × 1016 cm-3 の 12 μm 厚のエピタキシャル層を有するウエハ上に作製しました。終端構造のフィールドプレートと組み合わせたダイオードにて高順方向電流および低リーク電流特性を両立する特性を実現しました。寸法が 1.7 mm × 1.7 mm2 のダイオードは、順方向電圧 2 V で順方向電流 2 A、逆方向電圧 -1.2 kV でリーク電流 5.7 × 10-10 A (オン/オフ電流比 > 109) を示し、理想係数は 1.05、ウェハレベルの特性オン抵抗は 17.1 mΩ·cm2 でした。
リンク：
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac4080
https://doi.org/10.35848/1882-0786/acc30e