文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム、平成29年度「秀でた利用成果」の最優秀賞に、トレンチMOS構造を設けたGa2O3ショットキーバリアダイオードが選ばれました。
http://www.nims.go.jp/news/press/2018/01/201801230.html/
2020.12.24
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム、平成29年度「秀でた利用成果」の最優秀賞に、トレンチMOS構造を設けたGa2O3ショットキーバリアダイオードが選ばれました。
http://www.nims.go.jp/news/press/2018/01/201801230.html/
2020.12.24
2020.12.2
2020.11.30
2020.11.20
2020.10.16