文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム、平成２９年度「秀でた利用成果」の最優秀賞に、トレンチMOS構造を設けたGa2O3ショットキーバリアダイオードが選ばれました。
http://www.nims.go.jp/news/press/2018/01/201801230.html/
2019.08.9
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2019.07.29
IWGOに参加します。
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2019.07.29
応用物理学会秋季学術講演会に参加します。
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2019.07.29
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2019.04.22
ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第162委員会 第113回研究会に参加します。