menu
ホーム
製品情報
HVPE
MBE
基板
会社情報
社長挨拶
会社概要
組織図
事業拠点
報道発表一覧
採用情報
展示会・学会スケジュール
お問合せ
English
ホーム
ブログ
2017
2017
2017.11.28
世界初、酸化ガリウムエピ膜を用いたトレンチMOS型パワートランジスタの開発に成功
2017.9.12
超低消費電力の酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの開発に成功
2017.9.12
ϕ 2インチ酸化ガリウムエピタキシャルウエハの量産を開始
トップページに戻る
PAGE TOP
