| タイトル | 著者名 | 掲載誌名・掲載ページ | 刊行年 |
|---|---|---|---|
| Enhancement-Mode Ga2O3Vertical Transistors With Breakdown Voltage >1 kV | Z.Hu ,K.Nomoto ,W.Li ,N.Tanen ,K.Sasaki ,A.Kuramata ,T.Nakamura ,D.Jena ,H.G.Xing | Electron Device Letters 39,6, 869 - 872 | 2018 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mode β -Ga2O3 MOSFETs | K.D.Chabak ,J.P.McCandless ,N.A.Moser ,A.J.Green ,K.Mahalingam ,A.Crespo ,N.Hendricks , B.M.Howe ,S.E.Tetlak ,K.Leedy ,R.C.Fitch ,D.Wakimoto ,K.Sasaki ,A.Kuramata ,G.H. Jessen | Electron Device Letters 39,1,67 - 70 | 2018 |
| Radiation hardness of β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors against gamma-ray irradiation | M.H.Wong ,A.Takeyama ,T.Makino ,T.Ohshima ,K.Sasaki ,A.Kuramata ,S.Yamakoshi ,M.Higashiwaki | Appl. Phys. Lett. 112, 023503 | 2018 |
| Recent Advances inGa2O3MOSFETTechnologies | M.Higashiwaki ,M.H.Wong ,T.Kamimura ,Y.Nakata ,C.H.Lin ,R.Lingaparthi ,A.Takeyama ,T.Makino ,T.Ohshima , N.Hatta ,K.Yagi ,K.Goto ,K.Sasaki ,S.Watanabe ,A.Kuramata ,S.Yamakoshi ,K.Konishi ,H.Murakami ,Y.Kumagai | 76th Device Research Conf., June 2018. | 2018 |
| Exploration of Process Techniques for Ga2O3 Based Electronics | F.Rena ,S.J. Peartona ,J.Yanga , P.Careya , S.Ahnb , R.Khannac,K.Bevlinc ,D.Geerpuramc , A.Kuramata | ECS MA2018-01 ,1419 | 2018 |
| Thick, Low-Doped Homoepitaxial Ga2O3 for Power Electronics Applications | M.J.Tadjera,A.D.Koehlerb,N.A.Mahadikc,E.Glaserd,J.A.FreitasJr,B.Feigelsona ,V.D.Wheelera ,K.D.Hobartb ,F.J.Kubb , A.Kuramata | ECS MA2018-01, 1420 | 2018 |
| Bulk crystal growth of Ga2O3 | A.Kuramata ,K.Koshi ,S.Watanabe ,Y.Yamaoka T.Masui ,S.Yamakoshi | Oxide-based Materials and Devices IX ,10533 | 2018 |
| Comparison of O2 and H2O as oxygen source for homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy | K.Konishi ,K.Goto ,R.Togashi ,H.Murakami ,M.Higashiwaki ,A.Kuramata , S.Yamakoshi ,B.Monemar ,Y.Kumagai | Journal of Crystal Growth 492,39-44 | 2018 |
| Point defect induced degradation of electrical properties of Ga2O3 by 10 MeV proton damage | A. Y. Polyakov ,N. B. Smirnov1, I. V. Shchemerov1 ,E. B. Yakimov , J.Yang ,F. Ren, G.Yang ,J.Kim ,A.Kuramata ,S.J. Pearton | Appl. Phys. Lett. 112, 032107 | 2018 |
| A comparative study of wet etching and contacts on (2¯01) and (010) oriented β-Ga2O3 | S.Jang , S.Jung ,K.Beers ,J.Yang ,F.Ren ,A.Kuramata ,S.J. Pearton ,K.H.Baik | Journal of Alloys and Compounds 731,118-125 | 2018 |
| Ga2O3 Schottky barrier and heterojunction diodes for power electronics applications | M.J.Tadjer ,N. A. Mahadik ,J.A. Freitas ,E.R.Glaser ,A.D.Koehler , L.E. Luna ,B.N. Feigelson ,K.D. Hobart ,F.J. Kub ,A.Kuramata | Gallium Nitride Materials and Devices XIII 10532,1053212 | 2018 |
| Relation Between Electrical and Optical Properties of p‐Type NiO Films | M.Ono,K.Sasaki,H.Nagai,T.Yamaguchi,M.Higashiwaki,A.Kuramata,S.Yamakoshi,M.Sato,T.Honda,T.Onuma | PSS. B 255, 4,1700311 | 2018 |
| Pulsed Large Signal RF Performance of Field-Plated Ga2O3MOSFETs | M.Singh ,M.A.Casbon ,M.J.Uren ,J.W.Pomeroy ,S.Dalcanale , S.Karboyan ,P.J.Tasker ,M.H.Wong ,K.Sasaki ,A.Kuramata ,S.Yamakoshi ,M.Higashiwaki ,M.Kuball | Electron Device Letters 39,10, 1572 - 1575 | 2018 |
| Breakdown mechanism in 1 kA/cm2 and 960 V E-mode β-Ga2O3 vertical transistors editors-pick | Z.Hu, K.Nomoto, W.Li, Z.Zhang, N.Tanen, T.Quang Tu, K.Sasaki, A.Kuramata, T.Nakamura, D.Jena, and X.Huili Grace | Appl. Phys. Lett. 113, 122103 | 2018 |
| Acceptor doping of β-Ga2O3 by Mg and N ion implantations | M.Wong,C.Lin, A.Kuramata, S.Yamakoshi, H.Murakami, Y.Kumagai, M.Higashiwak | Appl. Phys. Lett. 113, 102103 | 2018 |
| Halide vapor phase epitaxy of Si doped β-Ga2O3 and its electrical properties | K.Goto, K.Konishi, H.Murakami, Y.Kumagai, B.Monemar, M.Higashiwaki , A.Kuramata, S.Yamakoshi | Thin Solid Films. 666, 182-184 | 2018 |
| Stacking faults in β‐Ga2O3 crystals observed by X‐ray topography | H.Yamaguchi,A.Kuramata | First published 10 | 2018 |
| All-ion-implanted planar-gate current aperture vertical Ga2O3 MOSFETs with Mg-doped blocking layer | M.Wong, K.Goto, Y.Morikawa , A.Kuramata , S.Yamakoshi , H.Murakami , Y.Kumagai , M.Higashiwaki | Appl. Phys. Express. 11,064102 | 2018 |
| Depletion-mode vertical Ga2O3 trench MOSFETs fabricated using Ga2O3 homoepitaxial films grown by halide vapor phase epitaxy | K.Sasaki , T.Quang , D.Wakimoto , Y.Koishikawa , A.Kuramata , S.Yamakoshi | Appl. Phys. Express 10,124201 | 2017 |
| Depletion-mode vertical Ga2O3 trench MOSFETs fabricated using Ga2O3 homoepitaxial films grown by halide vapor phase epitaxy | K.Sasaki , Q.T.Thieu ,D.Wakimoto ,Y.Koishikawa ,A.Kuramata ,S.Yamakoshi | Appl, Phys, Exp 10,12,124201 | 2017 |
| Preparation of 2-in.-diameter (001) β-Ga2O3 homoepitaxial wafers by halide vapor phase epitaxy | T.Quang ,D.Wakimoto , Y.Koishikawa ,K.Sasaki , K.Goto ,K.Konishi ,H.Murakami , A.Kuramata , Y.Kumagai ,S.Yamakoshi | Jpn. J. Appl. Phys. 56, 110310 | 2017 |
| Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on $(\bar{2}01)$ β-Ga2O3 | M.Kasu , T.Oshima , K.Hanada , T.Moribayashi , A.Hashiguchi , T.Oishi , K.Koshi , K.Sasaki , A.Kuramata , O.Ueda | Jpn. J. Appl. Phys. 56, 091101 | 2017 |
| Preparation of 2-in.-diameter (001) β-Ga2O3 homoepitaxial wafers by halide vapor phase epitaxy | Q.Tu.Thieu ,D.Wakimoto ,Y.Koishikawa ,K.Sasaki ,K.Goto ,K.Konishi ,H. Murakami , A.Kuramata , Y.Kumagai ,S.Yamakoshi | Jpn J Appl Phys 56,11,110310 | 2017 |
| Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects | T.Oshima , A.Hashiguchi , T.Moribayashi , K.Koshi , K.Sasaki , A.Kuramata , O.Ueda , T.Oishi , M.Kasu | Jpn. J. Appl. Phys. 56, 086501 | 2017 |
| Band alignment of atomic layer deposited SiO2 and HfSiO4 with $(\bar{2}01)$ β-Ga2O3 | P.Carey , F.Ren , D.Hays , B.Gila , S.Pearton , S.Jang , A.Kuramata | Jpn. J. Appl. Phys. 56, 071101 | 2017 |
| Edge-defined Film-fed Growth法によるβ-Ga2O3単結晶成長とその電気的特性 | 倉又 朗人 , 輿 公祥 , 渡辺 信也 , 山岡 優 , 増井 建和 , 山腰 茂伸 | 日本結晶成長学会誌 44, n/a | 2017 |
| Enhancement-mode Ga | M.Wong , Y.Nakata , A.Kuramata , S.Yamakoshi , M.Higashiwaki | Appl. Phys. Express 10, 041101 | 2017 |
| Edge-defined Film-fed Growth法によるβ-Ga2O3単結晶成長とその電気的特性 | 倉又 朗人 , 輿 公祥 , 渡辺 信也 , 山岡 優 , 増井 建和 , 山腰 茂伸 | 日本結晶成長学会誌 44, n/a | 2017 |
| 酸化ガリウム系ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察 (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用) | 大島 孝仁 , 加藤 勇次 , 河野 直士 , 大石 敏之 , 嘉数 誠 , 倉又 朗人 , 山腰 茂伸 , 藤田 静雄 | 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2017, 1-6 | 2017 |
| Origins of etch pits in β-Ga2O3(010) single crystals | K.Hanada , T.Moribayashi , K.Koshi , K.Sasaki , A.Kuramata , O.Ueda , M.Kasu | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202BG | 2016 |
| Current status of Ga2O3 power devices | M.Higashiwaki , H.Murakami , Y.Kumagai , A.Kuramata | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202A1 | 2016 |
| High-quality β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth | A.Kuramata , K.Koshi , S.Watanabe , Y.Yamaoka , T.Masui , S.Yamakoshi | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202A2 | 2016 |
| Structural evaluation of defects in β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth process | O.Ueda , N.Ikenaga , K.Koshi , K.Iizuka , A.Kuramata , K.Hanada , T.Moribayashi , S.Yamakoshi , M.Kasu | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202BD | 2016 |
| Thermal and chemical stabilities of group-III sesquioxides in a flow of either N2 or H2 | R.Togashi , Y.Kisanuki , K.Goto , H.Murakami , A.Kuramata , S.Yamakoshi , B.Monemar , A.Koukitu , Y.Kumagai | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202BE | 2016 |
| Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga | M.Kasu , K.Hanada , T.Moribayashi , A.Hashiguchi , T.Oshima , T.Oishi , K.Koshi , K.Sasaki , A.Kuramata , O.Ueda | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202BB | 2016 |
| Electron channel mobility in silicon-doped Ga2O3 MOSFETs with a resistive buffer layer | M.Wong , K.Sasaki , A.Kuramata , S.Yamakoshi , M.Higashiwaki | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202B9 | 2016 |
| Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3 | T.Oshima , R.Wakabayashi , M.Hattori , A.Hashiguchi , N.Kawano , K.Sasaki , T.Masui , A.Kuramata , S.Yamakoshi , K.Yoshimatsu , A.Ohtomo , T.Oishi , M.Kasu | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202B7 | 2016 |
| Epitaxial growth and electric properties of γ-Al2O3(110) films on β-Ga2O3(010) substrates | M.Hattori , T.Oshima , R.Wakabayashi , K.Yoshimatsu , K.Sasaki , T.Masui , A.Kuramata , S.Yamakoshi , K.Horiba , H.Kumigashira , A.Ohtomo | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202B6 | 2016 |
| Epitaxial growth and electric properties of γ-Al2O3(110) films on β-Ga2O3(010) substrates | T.Kamimura , D.Krishnamurthy , A.Kuramata , S.Yamakoshi , M.Higashiwaki | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202B5 | 2016 |
| High rate growth of In2O3 at 1000 °C by halide vapor phase epitaxy | R.Togashi , S.Numata , M.Hayashida , T.Suga , K.Goto , A.Kuramata , S.Yamakoshi , P.Paskov , B.Monemar , Y.Kumagai | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202B3 | 2016 |
| Spectroscopic ellipsometry studies on β-Ga2O3 films and single crystal | T.Onuma , S.Saito , K.Sasaki , T.Masui , T.Yamaguchi , T.Honda , A.Kuramata , M.Higashiwaki | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202B2 | 2016 |
| Electrochemical application of Ga2O3 and related materials: CO2-to-HCOOH conversion | T.Sekimoto , H.Hashiba , M.Deguchi , S.Yotsuhashi , T.Masui , A.Kuramata , S.Yamakoshi | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202B1 | 2016 |
| Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga | K.Hanada , T.Moribayashi , T.Uematsu , S.Masuya , K.Koshi , K.Sasaki , A.Kuramata , O.Ueda , M.Kasu | Jpn. J. Appl. Phys. 55, 030303 | 2016 |
| Ga₂O₃上に堆積したSiO₂膜におけるポストアニールの影響 (電子デバイス) | 小西 敬太 , 上村 崇史 , ワン マンホイ , 佐々木 公平 , 倉又 朗人 , 山腰 茂伸 , 東脇 正高 | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116, 11-15 | 2016 |
| エネルギーデバイス最前線 酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と実用化への課題 | 東脇 正高 , 熊谷 義直 , 村上 尚 , 倉又 朗人 | エネルギーデバイス = Energy device 3, 43-47 | 2016 |
| 酸化ガリウムショットキーバリアダイオード | 東脇 正高 , 佐々木 公平 , 村上 尚 , 熊谷 義直 , 倉又 朗人 | 電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌） 136, 479-483 | 2016 |
| 高耐圧ディスプレッション型フィールドプレートGa₂O₃ MOSFET (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用) | ワン マンホイ , 東脇 正高 , 佐々木 公平 , 倉又 朗人 , 山腰 茂伸 | 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2016(36-45), 29-33 | 2016 |
| エネルギーデバイス最前線 酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と実用化への課題 | 東脇 正高 , 熊谷 義直 , 村上 尚 , 倉又 朗人 | エネルギーデバイス = Energy device 3(6), 43-47 | 2016 |
| 酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用(<特集>機能性単結晶の最近の進展) | 倉又 朗人 , 纐纈 明伯 , ワン マンホイ [他] , 上村 崇史 , 東脇 正高 , 山腰 茂伸 , 飯塚 和幸 , 佐々木 公平 , 輿 公祥 , 増井 建和 , 森島 嘉克 , 後藤 健 , 熊谷 義直 , 村上 尚 | 日本結晶成長学会誌 42, 130-140 | 2015 |
| Thermal stability of β-Ga | R.Togashi , K.Nomura , C.Eguchi , T.Fukizawa , K.Goto , T.Quang , H.Murakami , Y.Kumagai , A.Kuramata , S.Yamakoshi , B.Monemar , A.Koukitu | Jpn. J. Appl. Phys. 54, 041102 | 2015 |
| 酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用(<特集>機能性単結晶の最近の進展) | 倉又 朗人 , 纐纈 明伯 , ワン マンホイ [他] , 上村 崇史 , 東脇 正高 , 山腰 茂伸 , 飯塚 和幸 , 佐々木 公平 , 輿 公祥 , 増井 建和 , 森島 嘉克 , 後藤 健 , 熊谷 義直 , 村上 尚 | 日本結晶成長学会誌 42, 130-140 | 2015 |
| 依頼講演 Al₂O₃/Ga₂O₃界面構造とその面方位依存性 (シリコン材料・デバイス) | 上村 崇史 , キルシナムルティ ダイワシガマニ , 倉又 朗人 [他] | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115, 11-16 | 2015 |
| Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy | H.Murakami , K.Nomura , K.Goto , K.Sasaki , K.Kawara , T.Quang , R.Togashi , Y.Kumagai , M.Higashiwaki , A.Kuramata , S.Yamakoshi , B.Monemar , A.Koukitu | Appl. Phys. Express 8, 015503 | 2014 |
| Systematic investigation of the growth rate of β-Ga2O3(010) by plasma-assisted molecular beam epitaxy | H.Okumura , M.Kita , K.Sasaki , A.Kuramata , M.Higashiwaki , J.Speck | Appl. Phys. Express 7(9), 095501 | 2014 |
| Al₂O₃/β-Ga₂O₃ヘテロ接合におけるバンドオフセット (電子デバイス) | 上村 崇史 , 佐々木 公平 , ワン マンホイ [他] , ダイワシガマニ キルシナムルティ , 倉又 朗人 , 増井 建和 , 山腰 茂伸 , 東脇 正高 | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114, 41-46 | 2014 |
| Al₂O₃/β-Ga₂O₃ヘテロ接合におけるバンドオフセット (電子デバイス) | 上村 崇史 , 佐々木 公平 , ワン マンホイ [他] , ダイワシガマニ キルシナムルティ , 倉又 朗人 , 増井 建和 , 山腰 茂伸 , 東脇 正高 | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114, 41-46 | 2014 |
| Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET (マイクロ波) | 東脇 正高 , 佐々木 公平 , ワン マンホイ [他] , 上村 崇史 , キルシナムルティ ダイワシガマニ , 倉又 朗人 , 増井 建和 , 山腰 茂伸 | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113, 35-39 | 2014 |
| Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET (電子デバイス) | 東脇 正高 , 佐々木 公平 , ワン マンホイ [他] , 上村 崇史 , キルシナムルティ ダイワシガマニ , 倉又 朗人 , 増井 建和 , 山腰 茂伸 | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113, 35-39 | 2014 |
| 酸化ガリウム半導体単結晶のパワーデバイス応用 (パワーエレクトロニクス小特集) | 佐々木 公平 , 倉又 朗人 , 増井 建和 , 山腰 茂伸 | 日本電子材料技術協会会報 45, 24-30 | 2014 |
| 酸化ガリウム（Ga2O3）結晶成長およびデバイス応用 | 東脇 正高 , 佐々木 公平 | 表面科学 35, 102-107 | 2014 |
| β-Ga2O3 Single Crystal as a Photoelectrode for Water Splitting | T.Oshima , K.Kaminaga , H.Mashiko , A.Mukai , K.Sasaki , T.Masui , A.Kuramata , S.Yamakoshi , A.Ohtomo | Jpn J Appl Phys 52, 111102-111102-4 | 2013 |
| Si-Ion Implantation Doping in β-Ga2O3 and Its Application to Fabrication of Low-Resistance Ohmic Contacts | K.Sasaki , M.Higashiwaki , A.Kuramata , T.Masui , S.Yamakoshi | Appl Phys Express 6, 086502-086502-4 | 2013 |
| Si-Ion Implantation Doping in β-Ga₂O₃ and Its Application to Fabrication of Low-Resistance Ohmic Contacts | K.Sasaki , M.Higashiwaki , A.Kuramata [他] , T.Masui , S.Yamakoshi | Appl Phys Express 6, "086502-1"-"086502-4" | 2013 |
| Al₂O₃/n-Ga₂O₃ MOSダイオード特性評価 (電子デバイス) | 上村 崇史 , ワン マンホイ , 佐々木 公平 [他] , ダイワシガマニ キルシナムルティ , 倉又 朗人 , 増井 建和 , 山腰 茂伸 , 東脇 正高 | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113, 29-32 | 2013 |
| Formation of Semi-Insulating Layers on Semiconducting β-Ga₂O₃ Single Crystals by Thermal Oxidation | T.Oshima , K.Kaminaga , A.Mukai[他] , K.Sasaki , T.Masui , A.Kuramata , S.Yamakoshi , S.Fujita , A.Ohtomo | Jpn J Appl Phys 52, 051101-051101-5 | 2013 |
| 単結晶β-Ga_2O_3基板を用いたPt/β-Ga_2O_3ショットキーバリアダイオード | 佐々木 公平 , 東脇 正高 , 倉又 朗人 [他] , 増井 建和 , 山腰 茂伸 | 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 112, 25-28 | 2012 |
| Device-Quality β-Ga₂O₃ Epitaxial Films Fabricated by Ozone Molecular Beam Epitaxy | K.Sasaki , A.Kuramata , T.Masui [他] , E.Víllora , K.Shimamura , S.Yamakoshi | Appl Phys Express 5(3), 035502-035502-3 | 2012 |
| 酸化ガリウム半導体の分子線エピタキシー(MBE)成長とショットキーダイオード (特集 酸化物半導体の新しい応用展開 : 酸化亜鉛,酸化ガリウム,さらに新しい材料を求めて) | 佐々木 公平 , 倉又 朗人 , 増井 建和 [他] | 機能材料 32, 20-26, 2012-12 | 2012 |
| 酸化ガリウムをパワー素子に SiCよりも安く、高性能に | 東脇 正高 , 倉又 朗人 , 佐々木 公平 [他] | 日経エレクトロニクス -(1079), 81-89 | 2012 |